応用ナノデバイス材料学

電界効果型トランジスタ（MOSFET）は，そのサイズを小さくすることで性能向上と集積密度
の向上をはかってきた。しかし，近年は，歪みエンジニアリングとよばれる半導体に歪みを導入
することで移動度を上昇させる技術，高誘電率ゲート絶縁膜を導入することによるゲート容量の
増大など，材料に様々な工夫をこらすことが性能の向上のために不可欠となっている。本講義で
は，トランジスタ性能の向上のための材料学的な工夫と新規な材料の導入によるトランジスタ応
用分野の広がりについて理解することを目的とする。