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最終更新日：2024年4月22日

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応用ナノデバイス材料学

ナノスケール材料におけるキャリア輸送の基礎を理解することを目的とする．材料に電流を流すとき，電子などの担体（キャリア）は格子振動や不純物によって散乱される．ある散乱から次の散乱までにキャリアが走行する平均的な距離である平均自由行程よりも，材料のサイズが小さいときのキャリア輸送を対象とする．
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時間割／共通科目コード
コース名
教員
学期
時限
FEN-MA4e29L3
FEN-MA4e29L3
応用ナノデバイス材料学
内田　建
S1
火曜2限
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講義使用言語
日本語
単位
1
実務経験のある教員による授業科目
NO
他学部履修
可
開講所属
工学部
授業計画
イントロダクション ナノスケール電気抵抗の概論 ナノ構造におけるエネルギー準位 基底関数とバンド構造 電子密度の計算 コンタクト電極の影響 コヒーレントなキャリア輸送
授業の方法
本科目を2023年度に履修した者が大学院工学系研究科へ進学する場合，マテリアル工学専攻の大学院講義「固体電子デバイス特論」は履修できない。
成績評価方法
レポート
教科書
S. Datta, "Quantum Transport: Atom to Transistor", Cambridge (2005).
履修上の注意
視野を広げる
その他
事前履修：デバイス材料工学,半導体物性学,固体物性学,材料統計力学,材料量子力学
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