大学院
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最終更新日：2024年4月22日
授業計画や教室は変更となる可能性があるため、必ずUTASで最新の情報を確認して下さい。
UTASにアクセスできない方は、担当教員または部局教務へお問い合わせ下さい。
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半導体デバイス材料学Ⅱ
半導体デバイス材料学Ⅱ / Semiconductor Device and Materials Ⅱ
学部レベルの物理学、化学、統計力学、および基礎的な半導体材料のバンド描像、キャリア輸送（＝これらはA1に開講する半導体デバイス材料工学Iの内容）の理解を前提として、先端CMOS，パワーデバイス、不揮発性メモリなどの先端デバイスの動作原理を理解するとともに、その新規材料の開発状況や材料設計、デバイスプロセスについて学ぶ。
Based on the understanding of undergraduate-level physics, chemistry, statistical quantum mechanical physics, band picture of semiconductor materials, and carrier transport (these are mainly the contents of Semiconductor Device Materials Engineering I held in A1 term) the lectures about the operating principles of advanced devices such as advanced CMOS, power devices, and non-volatile memory will be given in this course, This course also covers the status of the state-of-the-art technological development of new materials and their design, and device processes.
Based on the understanding of undergraduate-level physics, chemistry, statistical quantum mechanical physics, band picture of semiconductor materials, and carrier transport (these are mainly the contents of Semiconductor Device Materials Engineering I held in A1 term) the lectures about the operating principles of advanced devices such as advanced CMOS, power devices, and non-volatile memory will be given in this course, This course also covers the status of the state-of-the-art technological development of new materials and their design, and device processes.
時間割／共通科目コード
コース名
教員
学期
時限
47101-02
GFS-AM6D07L1
半導体デバイス材料学Ⅱ
喜多 浩之
金曜2限
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講義使用言語
日本語、英語
単位
1
実務経験のある教員による授業科目
NO
他学部履修
可
開講所属
新領域創成科学研究科
授業計画
本講義では以下の内容を学ぶ
１．電界効果とMOSFETの応用
２．超大規模集積回路技術とCMOSプロセス
３．スケーリングと新規デバイス材料，高誘電率絶縁膜技術など
４．不揮発性メモリ技術と新規デバイス材料
５．薄膜トランジスタ技術と新規デバイス材料
６．ワイドバンドギャップ半導体
７．パワーデバイスの高効率化技術
/
/ In this lecture, one will learn the following contents.
1. Field-effect and MOSFET applications
2. Ultra-large scale integrated circuit technology and CMOS process
3. Scaling of CMOS and new device materials, high-k dielectric technology
4. Non-volatile memory technology and new device materials for the next generation
5. Thin-film transistors technology and emerging device materials for them
6. Wide bandgap semiconductor materials
7. High-efficiency power device technology
授業の方法
【訂正】日本語および英語を用いた講義を,オンラインまたはハイブリッドにて行う。
【Correction】All lectures will be given in both Japanese and English on-line (Zoom), or hybrid lecture (on-line and on-site).
成績評価方法
レポート課題および出席状況
The score of report assignment(s) and the attendance to the lectures
教科書
なし / None
参考書
講義にて紹介する。
/ References will be Introduced at the lectures.
履修上の注意
A1に開講する「半導体デバイス材料工学I」を受講していることが望ましい。
/ It is recommended to take "Semiconductor Device Materials Engineering I" held in A1.
