大学院
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最終更新日：2025年10月17日
授業計画や教室は変更となる可能性があるため、必ずUTASで最新の情報を確認して下さい。
UTASにアクセスできない方は、担当教員または部局教務へお問い合わせ下さい。
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反応システム工学Ⅲ
"Reaction Systems Engineering III" examines the evolution of semiconductor manufacturing, epitomized by the "More than Moore" trend. This course explores advances like Molecular Beam Epitaxy (MBE) and Chemical Vapor Deposition (CVD), emphasizing device scaling for optimal performance and cost-efficiency. Students will:
1. Study reactor design principles and understand epitaxial dynamics between the epilayer and substrates.
2. Discuss emerging semiconductor technologies and their relevance.
3. Learn the fundamental theories, analyzing the relationship between structure, property, and reactor performance.
4. Explore practical integrations for new device architectures.
To reinforce understanding and maximize learning outcomes, students will be supplied with tailored exercises and problem sets throughout the course
1. Study reactor design principles and understand epitaxial dynamics between the epilayer and substrates.
2. Discuss emerging semiconductor technologies and their relevance.
3. Learn the fundamental theories, analyzing the relationship between structure, property, and reactor performance.
4. Explore practical integrations for new device architectures.
To reinforce understanding and maximize learning outcomes, students will be supplied with tailored exercises and problem sets throughout the course
時間割／共通科目コード
コース名
教員
学期
時限
3773-127
GEN-CS6314L3
反応システム工学Ⅲ
TUNG CHUN CHIH
金曜1限
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講義使用言語
英語
単位
2
実務経験のある教員による授業科目
NO
他学部履修
可
開講所属
工学系研究科
授業計画
Introduction & Current Challenges for Synthesis of Atomically Thin Semiconductors
Current Synthesis Techniques (Reactor Design)
Current Synthesis Techniques (Solid-Source Chemical Vapor Deposition)
Current Synthesis Techniques (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition)
Current Synthesis Techniques (Molecular Beam Epitaxy)
Controlling Nucleation and Crystal Growth (Substrate Engineering I )
Controlling Nucleation and Crystal Growth (Substrate Engineering II )
Precursor Chemistry
Impact of Growth Temperature & Pressure
Midterm Examination II
Materials Engineering (Defect Engineering)
Materials Engineering (Heterostructure)
Materials Engineering (Doping and Alloying)
成績評価方法
Midterm Exams (I+II) 20%
Final Exam 30%
Presentation 40%
Attendence 10%
教科書
Nanostructures and Nanomaterials Guozhong Cao & Ying Wang
参考書
Electronic Properties of Materials Neamen
履修上の注意
視野を広げる
