集積デバイス工学

1. VLSIデバイスのトレンドと最新動向 2. MOS構造の物理 3. 長チャネル MOSデバイスの動作原理 4. 比例縮小則とデバイス性能 5. 短チャネルMOSデバイ スの動作原理 6. 将来展望 7. メモリデバイスの全体俯瞰 8. DRAM 9. SRAM 10. フラッシュメモリ 11. 新規メモリと応用 1. Recent trend of VLSI devices 2. Physics of MOS structures 3. Operation principles of long-channel MOSFETs 4. Operation principles of short-channel MOSFETs 5. Future trend 6. Overview of memory devices 7. DRAM 8. SRAM 9. Flash memory 10. Emerging memory and applications

講義 レポート

レポート課題（6回程度）を評価

講義ノート、参考書を用いた予習・復習 レポートによる知識定着

＜前提となる知識・項目＞ 学部講義で習った理想的なMOSトランジスタの動作原理 Operation principles of ideal MOS transistors ＜応用先・項目＞ ・VLSIを構成する微細MOSトランジスタの設計・試作 ・VLSI回路設計 - Design and manufacturing of VLSI transistors - VLSI circuit design ＜備考＞ 4月18日（金）に開講します（4月14日（月）は休講）．前半は平本が担当します．後半は小林が担当します．講義はハイブリッド形式で行います．教室で聴講してもオンラインで聴講しても構いませんが，できる限り教室に来るようお願いします． Zoomは下記のとおりです． https://u-tokyo-ac-jp.zoom.us/*****