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最終更新日:2023年10月2日

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集積デバイス工学

大規模集積回路(VLSI)に広く用いられているMOSトランジスタおよびメモリデバ イスの実際の動作原理を正しく理解する.To understand the basic operation principles of MOS transistors and memory devices that are widely used in VLSI.
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時間割/共通科目コード
コース名
教員
学期
時限
3747-038
GEN-EE5c08L1
集積デバイス工学
平本 俊郎
S1 S2
金曜1限
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講義使用言語
日本語
単位
2
実務経験のある教員による授業科目
NO
他学部履修
開講所属
工学系研究科
授業計画
平本担当: 1. VLSIデバイスのトレンドと最新動向 2. MOS構造の物理 3. 長チャネル MOSデバイスの動作原理 4. 比例縮小則とデバイス性能 5. 短チャネルMOSデバイ スの動作原理 6. 将来展望 小林担当 1. メモリデバイスの全体俯瞰 2. DRAM 3. SRAM 4. フラッシュメモリ 5. 新規メモリと応用 Hiramoto: 1. Recent trend of VLSI devices 2. Physics of MOS structures 3. Operation principles of long-channel MOSFETs 4. Operation principles of short-channel MOSFETs 5. Future trend Kobayashi: 1. Overview of memory devices 2. DRAM 3. SRAM 4. Flash memory 5. Emerging memory and applications
授業の方法
4月7日(金)に開講します.前半は平本が担当します.講義はハイブリッド形式で行います.教室で聴講してもオンラインで聴講しても構いませんが,できる限り教室に来るようお願いします. 小林担当のZoomは以下の通りです。 https://u-tokyo-ac-jp.zoom.us/*****
成績評価方法
レポート課題(6回程度)を評価
教科書
[1] 平本俊郎(編著),集積ナノデバイス,丸善,4800円+税 [2] 角南英夫・川人祥二(編著),メモリデバイス・イメージセンサ,丸善,5700円+税
履修上の注意
基礎を固める(工学部共通)
その他
前提となる知識と項目:学部講義で習った理想的なMOSトランジスタの動作原理 Operation principles of ideal MOS transistors 応用先_分野と項目:・VLSIを構成する微細MOSトランジスタの設計・試作 ・VLSI回路設計 - Design and manufacturing of VLSI transistors - VLSI circuit design