集積デバイス工学

平本担当： 1. VLSIデバイスのトレンドと最新動向 2. MOS構造の物理 3. 長チャネル MOSデバイスの動作原理 4. 比例縮小則とデバイス性能 5. 短チャネルMOSデバイ スの動作原理 6. 将来展望 小林担当 1. メモリデバイスの全体俯瞰 2. DRAM 3. SRAM 4. フラッシュメモリ 5. 新規メモリと応用 Hiramoto: 1. Recent trend of VLSI devices 2. Physics of MOS structures 3. Operation principles of long-channel MOSFETs 4. Operation principles of short-channel MOSFETs 5. Future trend Kobayashi: 1. Overview of memory devices 2. DRAM 3. SRAM 4. Flash memory 5. Emerging memory and applications

4月7日（金）に開講します．前半は平本が担当します．講義はハイブリッド形式で行います．教室で聴講してもオンラインで聴講しても構いませんが，できる限り教室に来るようお願いします． 小林担当のZoomは以下の通りです。 https://u-tokyo-ac-jp.zoom.us/*****

レポート課題（6回程度）を評価

[1] 平本俊郎（編著），集積ナノデバイス，丸善，4800円+税 [2] 角南英夫・川人祥二（編著），メモリデバイス・イメージセンサ，丸善，5700円＋税

基礎を固める（工学部共通）

前提となる知識と項目：学部講義で習った理想的なMOSトランジスタの動作原理 Operation principles of ideal MOS transistors 応用先_分野と項目：・VLSIを構成する微細MOSトランジスタの設計・試作 ・VLSI回路設計 - Design and manufacturing of VLSI transistors - VLSI circuit design