1. 半導体のバンド構造
1.1 金属の自由電子モデル
1.2 ブロッホの定理
1.3 クローニッヒ・ペニィ モデル
1.4 逆格子ベクトルと還元帯域の表式
1.5 ほとんど自由な電子による近似
1.6 無格子バンド
1.7 強い結合の近似
1.8 擬ポテンシャルの方法
1.9 k・p摂動
1.10 有効質量
2. 半導体内の電子状態とヘテロ構造によるその制御
2.1 有効質量近似
2.2 不純物準位
2.3 ヘテロ構造によるバンド/電子状態の制御
2.4 MOS構造と二次元電子
2.5 高電子移動度トランジスタ
2.6 半導体での光学遷移と量子井戸レーザ
2.7 歪超格子
2.8 歪を利用したデバイス
2.9 量子井戸の光吸収特性における電界効果
2.10 半導体受光素子
3. 半導体の光学過程
3.1 光の基礎事項
3.1.1 光と電磁波
3.1.2 固体中の電磁波
3.2 半導体における光吸収・発光の物理
3.2.1 半導体における光吸収
3.2.2 半導体における発光
3.2.3 半導体におけるキャリア緩和
3.2.4 Fermi golden rule
3.2.5 半導体光デバイス
4. フォノンの物理とフォノン・ポラリトン
4.1 格子振動のモードと特徴
4.2 格子比熱 デバイモデルと
アインシュタインモデル
4.3 フォノン・ポラリトン
5. 半導体中の熱輸送
5.1 フォノンの散乱過程
5.2 ナノスケールフォノン輸送
5.3 フォノンエンジニアリングによる熱伝導制御
5.4 熱フォノニクス